文献一覧: 寺倉清之 (著者)

9 0 0 0 OA 20世紀における計算物理と将来展望物性物理から計算物理まで

著者: 寺倉清之
出版者: 公益社団法人応用物理学会
雑誌: 応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日: vol.69, no.8, pp.965-970, 2000-08-10 (Released:2009-02-05)
参考文献数: 50
被引用文献数: 2

20世紀における科学技術の進歩のうちで,最もめぎましいものの一つが計算機の進歩である.計算機は理論研究における一つの道具としての巨大な算盤の役目から,計算物理という,実験と理論に並ぶ第Bの物理研究手法の基盤の役目へと昇格した.計算物理は解析的に解けない多くの問題への,客観的で近似なしの解を与えるということにより,予想外の結論へと導いてくれることがある.また,自然を解き明かすという立場から,設計し加工するという立場へと変化しっつある今後においては,計算物理がよりいっそうの重要な役割を演ずることになろう.

2020-11-29 01:37:51
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1 0 0 0 OA Si/SiO2界面の構造と電子状態

著者: 金田千穂子山崎隆浩宇田毅内山登志弘寺倉清之
出版者: The Surface Science Society of Japan
雑誌: 表面科学 (ISSN:03885321)
巻号頁・発行日: vol.20, no.10, pp.732-736, 1999-10-10 (Released:2010-02-05)
参考文献数: 12
被引用文献数: 2 1

Stable structures and electronic states of Si(100)/SiO2 interface are investigated using the first-principles molecular dynamics method. Quartz, tridymite, and pseudo beta-cristobalite are employed as the initial structures of the SiO2 at the interface to find the stable ones by the structural optimization. It is found that the optimized tridymite-type SiO2 structure on Si is the most stable for thin (about 7Å) SiO2 layer. For the thicker (about 15Å) layer, however, this structure becomes less stable and the optimized quartz-type SiO2 structure is the most stable. The band gap variation along the direction perpendicular to the interface is also investigated for the optimized structures. In the SiO2 region within 1Å from the structural interface, the band gap remains as narrow as that of silicon. The drastic change of the band gap takes place in the SiO2 region between 1 and 4Å.

2023-01-14 21:59:38
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1 0 0 0 OA 金森順次郎先生を偲んで (追悼)

著者: 寺倉清之
出版者: 一般社団法人日本物理学会
雑誌: 日本物理学会誌 (ISSN:00290181)
巻号頁・発行日: vol.68, no.4, pp.247, 2013-04-05 (Released:2018-08-08)

2021-07-14 23:24:29
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1 0 0 0 共鳴核反応を用いた表面層水素原子の高分解能深さ分析

著者: 村田好正福谷克之藤本光一郎小林紘一小牧研一郎寺倉清之
出版者: 東京大学
雑誌: 試験研究(B)
巻号頁・発行日: 1992

共鳴核反応を用いた水素の高分解能深さ分析法の開発を行った。6.385MeVの^<15>Nビームは東京大学原子力総合センターのタンデム型加速器により発生させた。N原子の電子親和力が負であるため入射する負イオンとしては分子イオンであるNH^<2->またはCN^-を用いた。高い深さ分解能を達成するためには共鳴幅程度の単色性の良いビームを作ることが必要である。これは分析電磁石の磁場を安定させることで達成する。プロトンのNMRのスペクトル変動を電磁石の電源へフィードバックすることで磁場の相対変動を10^<-5>に抑えた。分析電磁石の出口スリットにはスリットフィードバックシステムを準備し、加速用のターミナル電圧の安定をはかる。入り口と出口のスリットを0.5mm幅にすることでエネルギーの広がりを2keV以下に抑えらた。実験は超高真空中で処理した試料に、加速器で発生させた6.385MeVの^<15>Nビームは、同センター2Cコースにおいて2段の差動排気を介して解析用超高真空槽へと導いた。ビーム形状をモニターするビームプロファイルモニターと収束用マグネットを設置し、試料上でビーム径2mm、50nAのビームを得ることに成功した。水素との核反応に伴って放出される4.43MeVのγ線は直径4インチのBi_4Ge_3O_<12>シンチレーターを用い、真空槽の外、試料から20-40mm離れた所で測定した。宇宙線によるバックグランドは0.07cpsであり、1/100原子層程度の水素が測定可能となった。この手法を用いて、(a)a-Si/H/Si(001)、(b)Olivine/Aqueous Solution Interface、(c)H/Au(001)、(d)Ag,Cu,Pb/H/Si(111)の試料について深さ分解測定を行った。