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OA
レーザ照射スパッタ多結晶シリコン薄膜トランジスタ
著者
芹川 正
白井 誠一
出版者
The Institute of Electrical Engineers of Japan
雑誌
電気学会論文誌A(基礎・材料・共通部門誌)
(
ISSN:03854205
)
巻号頁・発行日
vol.110, no.10, pp.675-678, 1990-10-20 (Released:2008-07-15)
参考文献数
10
言及状況
変動(ピーク前後)
変動(月別)
分布
外部データベース (DOI)
1.85
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Mendeley
DOI Chronograph
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レーザ照射スパッタ多結晶シリコン薄膜トランジスタ ーーーー スパッタリング=一次イオンビームにより発生する二次イオンビームで成膜するプロセスでレーザー照射すれば多結晶シリコンと言う論文は1990年に既にあった。 【ギガ一次イオンビーム】で高速成膜?はありそう https://t.co/RPCP5CXd3d
収集済み URL リスト
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms1990/110/10/110_10_675/_article/-char/ja/
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