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> 現在,SiCの基板結晶は昇華法(改良Lely法)で作製されている27).本手法では,2000°C以上の高温でSiC粉末原料を昇華させ,種結晶上に成長させる手法である 蒸着させてんのか…(´・ω・`) https://t.co/14QnAZwuJC
> バルク結晶成長のこの 10 年 タイトルにきのこる先生を感じる(´・ω・`) https://t.co/14QnAZwuJC

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