12 0 0 0 OA 酸化ガリウム単結晶の光・電子デバイス応用(<特集>機能性単結晶の最近の進展)
- 著者
- 倉又 朗人 飯塚 和幸 佐々木 公平 輿 公祥 増井 建和 森島 嘉克 後藤 健 熊谷 義直 村上 尚 纐纈 明伯 ワン マンホイ 上村 崇史 東脇 正高 山腰 茂伸
- 出版者
- 日本結晶成長学会
- 雑誌
- 日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)
- 巻号頁・発行日
- vol.42, no.2, pp.130-140, 2015 (Released:2017-05-31)
Gallium Oxide is attracting attention as a new material for optical and electrical applications. It has a large band gap of 4.8 eV. The electron concentration can be controlled in a range between 10^<16> cm^<-3> and 10^<19> cm^<-3>. Large-size bulk crystals can be obtained easily because melt growth is possible under the atmospheric pressure. From these material features, we expect high performance and low production cost of LEDs and high power devices. In this report, we introduce the properties of β-Ga_2O_3 single crystal substrates and the present status of device development.
言及状況
外部データベース (DOI)
Twitter (12 users, 14 posts, 80 favorites)
3/n
>β-Ga2O3単結晶の育成に関して、EFG法(Edge-defined Film-fed Growth 法)が主流(?)
>イリジウム製坩堝に酸化ガリウム粉末原料を入れ、誘導加熱により溶融。この融液が毛細管現象によりスリットを上昇し、上面でシードと接触させて結晶育成。
(出典)
https://t.co/iTT6DcBnJg https://t.co/e9Bm1cQzsg
2/n
> 単結晶の育成に関して，大気圧の融液相からの結晶育成が可能
>簡易な装置を用いて高い育成速度で結晶をつくることができるため，競合するワイドバンドギャップ材料である SiC や GaN と比べて大型のバルク結晶を安価に製造できる
(出典)
https://t.co/iTT6DcBnJg https://t.co/W3IIDb3rqz
#半導体のお勉強
酸化ガリウム半導体について勉強するスレ
①
>酸化ガリウム(Ga2O3)は 4.8eV のバ ンドギャップを有する酸化物半導体材料
> α，β， γ，ε，δ の 5 つの結晶構造がある
> 単斜晶系に属する β ガリア構造と呼ばれる結晶構造が安定相
(出典)
https://t.co/iTT6DcBnJg https://t.co/PqX4veOmMg
https://t.co/fFC2di3ta1
もしかしたら業界の人はそう言ってるのかもしれない。