3 0 0 0 OA 化学気相成長(Chemical Vapor Deposition: CVD)法の基礎
- 著者
- 関口 敦
- 出版者
- 一般社団法人 日本真空学会
- 雑誌
- Journal of the Vacuum Society of Japan (ISSN:18822398)
- 巻号頁・発行日
- vol.59, no.7, pp.171-183, 2016 (Released:2016-07-16)
- 参考文献数
- 24
- 被引用文献数
- 4 4
本講座は化学気相成長(CVD)法の基礎に関して解説する.欠陥の少ない結晶成長や良好な被覆特性など,CVD 法を使用すると他の成膜方法では実現できない特長を得ることができる.実際にこの特長を得るためには,化学反応過程を解析し所定のプロセス条件で実施することが必要となる.本講座では CVD の定義から,この反応解析の手法と各プロセスの詳細に関して解説する.
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『一般的に薄膜の作製を検討する際，…CVD法(化学気相成長法)を採用するメリットは少ない．CVD 法は原料や反応生成物の毒性，爆発性などの安全性対策や排気ガス処理などの対策が必要となるからである．』
あと、こういう環境系の要件
CVD法での膜生成をモデル化せよと出題しながら
講義＆課題中でCVDについては語られないので他をあたっている
( ˘ω˘)
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