著者
志賀 基之
出版者
分子シミュレーション研究会
雑誌
アンサンブル (ISSN:18846750)
巻号頁・発行日
vol.14, no.3, pp.134-137, 2012-07-31 (Released:2014-06-25)
参考文献数
2

近年の大型並列計算機の発展とともに分子シミュレーションと電子状態計算を統合した第一原理シミュレーションが普及し,国際標準になりつつある.これを用いて,従来では扱えなかった複雑な化学反応動力学や,光吸収や電磁場応答のような電子状態由来の物性などを対象に,さまざまな応用研究が広まっている.本稿では,電子状態理論の基礎をなすHartree-Fock 法について,分子シミュレーションとの接点を少し意識しながら再考したい.

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2つのスピン https://t.co/J4AHXoyJAj
かなり雜にいって、「4s軌道と3p軌道のエネルギー準位は同等です」はまだいいとして、「4s軌道と3p軌道は重ねっていて重なっていない」とか納得出來ますか。 かういふのはさういふのを前提して書かれてるから、まあ、さうですかといふ風に納得出來ますか。 https://t.co/vbuuzbXywD

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