著者
菅原 良孝
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.70, no.5, pp.530-535, 2001-05-10 (Released:2009-02-05)
参考文献数
12

SicパワーデバイスにはSiの物性限界を打破した飛躍的な高性能が期待でき,電力変換装置に適用した場合について試算すると,電力損失と体積の大幅な低減が図れる.この結果,装置の大幅な省エネ化や省資源化が期待できる.開発レベルでは,すでにダイオードやFETでは,おのおの19kVや6kVの高耐圧が達成されるとともに, Siの性能限界もはるかにりょうができており,実用化の機運も高まりつつある.実用化にあたっての主要な課題は,コストに直接影響する歩留まりの向上と高温高信頼稼働の実現である.特に,前者に関してはSicウエ八一とエピタキシャル層の結晶品質の問題が深刻であり,実用レベルの電流容量を実現するうえで大きな障害になっている.

言及状況

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https://t.co/RrdsV5nX2B 教授に指摘されて高速で論文漁ったらマジでSiC-GTO出てきた…… 作れるんかお前〜〜〜 なお製造コストはSi-GTOより超絶お高め(加工しにくい)
@DBA_VM4_LEVORG https://t.co/RrdsV5nX2B SiC製のGTOサイリスタ性能に関する論文、応用物理学会の方にありました… 逆導通サイリスタには向かないとは聞いていましたが出来る事には出来るっぽいですね

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