著者
正宗 綾子 星野 恵美子 吉井 彰 マサムネ アヤコ ホシノ エミコ ヨシイ アキラ Ayako Masamune Emiko Hoshino Akira Yoshii
雑誌
日本女子大学紀要. 理学部 = Journal of Japan Women's University. Faculty of science
巻号頁・発行日
vol.11, pp.61-69, 2003-03

p-GaAs中における電子の輸送現象のモンテ・カルロ法によるシミュレーションを行った。本シミュレーションにおいては, 電子のみならずホールの輸送に関してもモンテ・カルロ計算を行い, 印加電場に対するホールの分布関数を計算し, この分布関数を電子-ホール散乱の散乱頻度計算に導入することで電子輸送におけるホールとの相互作用の効果を取り入れた。この計算結果を実測データと比較し, キャリア間の散乱効果を精密に導入することにより, 実測データと良い一致が得られることを示した。Electron transport in p-GaAs is studied in detail using an ensemble Monte Carlo calculation. Carrier- carrier interactions, such as electron-electron, hole-hole and electron-hole, are taken into account. Not only electrons but also holes are analyzed to obtain their exact distribution functions. For drift velocity and temperature of minority- electrons in p-GaAs, the calculated results shows good agreement with experimental data by accurately including field dependent carrier-carrier interactions. Throughout the study, it is demonstrated that the interaction with holes is essential for electron transport in p-GaAs.