著者
宮沢 久雄 斎藤 基彦 生駒 英明
出版者
一般社団法人日本物理学会
雑誌
日本物理學會誌 (ISSN:00290181)
巻号頁・発行日
vol.24, no.10, pp.657-672, 1969-10-05

これは物性の片すみのささやかな足どりであり, 解説欄の題材に価するかと問われればためらいを感じるのだが, 編集委員会からの要請にしたがって執筆にふみきった。とり上げた内容は, 電子の身軽いことでは横綱級のIII-V族半導体中, 特にInSbが低温で示す劇的な伝導諸現象と, それらをどう理解するかという点でくいちがう諸派の見解である。

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こんな論文どうですか? III-V族半導体, 特にInSbのホット・エレクトロンと不純物帯(宮沢久雄ほか),1969 http://id.CiNii.jp/Ip4CL

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