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1 0 0 0 IR シリコン単結晶成長プロセスの数値シミュレーションに要求される熱物性値(<小特集>バルク成長分科会特集-最先端デバイスと科学技術-)

著者
福山 博之 塚田 隆夫 渡邉 匡人 田中 敏宏 馬場 哲也 日比谷 孟俊
出版者
日本結晶成長学会
雑誌
日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)
巻号頁・発行日
vol.30, no.5, pp.364-369, 2004-01-15
被引用文献数
4
小特集:バルク成長分科会特集-最先端デバイスと科学技術-

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