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文献詳細
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OA
サファイア基板上GaNの成長に関する研究
著者
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
出版者
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
雑誌
極微構造デバイス研究センター報告書 = Technical report at Research Center for Micro-Structure Devices
巻号頁・発行日
vol.5, pp.1-112, 1998-03
言及状況
変動(ピーク前後)
変動(月別)
分布
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そう、GaNって熱膨張係数けっこう高いらしいのよね だからHTCVDとかすると、サファイアとかSiの上に成長したあとに成膜後の温度差で歪んでクラックできたり 成長前後の歪み吸収のためにバッファ挟んで超格子構造にしたりするんだって https://t.co/VanRtx2gxK https://t.co/PXYxA6Fnhe https://t.co/RGp7UgKWcf
収集済み URL リスト
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