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レーザーアブレーション法を用いた環境半導体β-FeSi_2薄膜の低温成長
著者
永元 達也
吉武 剛
永山 邦仁
出版者
九州大学
雑誌
九州大学工学集報
(
ISSN:00232718
)
巻号頁・発行日
vol.72, no.2, pp.95-100, 1999-03
言及状況
変動(ピーク前後)
変動(月別)
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CiNii 論文 - レーザーアブレーション法を用いた環境半導体β-FeSi_2薄膜の低温成長 http://t.co/kxUQVCHBud #CiNii
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