著者
董 立新 新井 史人 福田 敏男
出版者
一般社団法人日本機械学会
雑誌
ロボティクス・メカトロニクス講演会講演概要集
巻号頁・発行日
vol.2002, 2002

電子ビーム誘発された堆積(EBID)はカーボンナノチューブ(CNT)エミッターを通して実現された。ナノマニピュレーションによってナノチューブエミッターと基板の間のギャップが377nmに調整され, 120Vのバイアスをかけて, 2μAの放出電流が得られることを示した。同じ真空室の電界放出走査電子顕微鏡(FESEM)の熱電子銃による従来のEBIDと比較すると, ナノチューブエミッターのバイアスと放出電流は, それぞれFESEMの熱電子銃のわずか0.8%および1.9%であるが, 堆積率はそれの12.2%に達したことが分かった。そして, 最後にパラレルEBIDは提案された。

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こんな論文どうですか? 1A1-I04 カーボンナノチューブエミッターによって電子ビーム誘発された堆積によるナノ製造(董 立新ほか),2002 https://t.co/qNW7HlHNAy
こんな論文どうですか? 1A1-I04 カーボンナノチューブエミッターによって電子ビーム誘発された堆積によるナノ製造,2002 http://ci.nii.ac.jp/naid/110002504859 電子ビーム誘発された堆積(EBID)はカーボンナノチューブ(CNT)エミッタ

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