著者

近藤 幸一 千葉 龍矢 小野 裕司 吉田 栄吉 松下 伸広 阿部 正紀

出版者

公益社団法人日本磁気学会

雑誌

日本応用磁気学会誌 (ISSN:18804004)

巻号頁・発行日

vol.28, no.4, 2004-04-01

被引用文献数

2

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携帯電子機器の急速な高速度化・小型化とそれに伴う電子回路の高集積化により,半導体部品等から発生する高周波伝導ノイズを,ノイズ発生源である半導体素子内部あるいはその近傍で抑制する技術が望まれています.我々はフェライトめっき法により得られるNiZnフェライト薄膜を用いたGHz伝導ノイズ抑制体(バスタフェリックス_[○!R])を開発しました.Fig.1に示すように,従来の金属粉とポリマーからなる複合磁性シート(厚さ50μm)に比べ約1/15の厚さ(31μm)で同等以上の性能を発揮するので,携帯電話,ノートパソコン、デジタルカメラのようなデジタル電子機器の輻射ノイズ対策、及び内部干渉・誤動作の防止に最適です.