- 著者
-
荒川 富行
松本 良一
北 明夫
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
- 巻号頁・発行日
- vol.95, no.66, pp.77-82, 1995-05-24
酸窒化膜中の窒素原子分布が信頼性に与える影響について,正及び負のバイアスストレスに対して調べた.その結果次のことが分かった.正ゲートバイアスストレスに対し,酸窒化膜/Si界面の窒素原子濃度が高いほど(2.1%),電荷トラップの生成及び界面準位密度の増加を低減することができ,Q_<bd>も大きくすることができる.一方,負ゲートバイアスストレスに対しては,酸窒化膜/Si界面への窒素原子の導入は,電荷トラップの低減には有効であるが,Q_<bd>の増加及び界面準位密度増加の抑制に対しては効果は少ない.また,正負いずれのバイアスストレスの場合も,酸窒化膜表面付近の窒素原子濃度が高いとき(1%以上),酸窒化膜/Si界面への窒素原子導入の効果は低下する.