- 著者
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天野 建
菅谷 武芳
小森 和弘
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス (ISSN:09135685)
- 巻号頁・発行日
- vol.105, no.455, pp.45-48, 2005-12-09
- 参考文献数
- 12
我々は高密度な量子ドットを用いた量子ドットレーザの研究を行っている。As_2分子線と組成傾斜歪み緩和層を用いることで, 量子ドット密度の1.0×10^<11>cm^<-2>を超える高密度化を実現した。また, 併せてPL半値幅22meVの均一化も実現した。さらに高密度化と高均一化が実現した量子ドットからPL測定により基底準位の発光強度増強も確認できた。この高密度かつ高均一な量子ドットを用いた半導体レーザを製作し, 高反射膜ミラー構造無しでもレーザ発振を実現した。また, 一層当たり8cm^<-1>を超える大きなモード利得を得たので報告する。この結果は量子ドットを高密度かつ高均一にしたためであり, 通信用量子ドットレーザの実用化に向けて大きな成果と考えている。