C-10-16 AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタのサブスレショルドスロープ(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2) - 文献詳細 - Ceek.jp Altmetrics

1 0 0 0 C-10-16 AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタのサブスレショルドスロープ(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)

著者: 田中成明鈴木寿一住田行常山本研吾河合弘治
出版者: 一般社団法人電子情報通信学会
雑誌: 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集
巻号頁・発行日: vol.2005, no.2, 2005-09-07

2008-11-20 20:10:00
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[study][report][2008後期][半導体プロセス工学]

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