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1 0 0 0 C-11-6 完全空乏型と部分空乏型Surrounding Gate Transistorにおける電位と短チャネル閾値電圧の準二次元解析的モデリング(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)

著者
ペシック イリヤ 中村 広記 羽田 秀生 山崎 宏明 桜庭 弘 舛岡 富士雄
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集
巻号頁・発行日
vol.2005, no.2, 2005-09-07

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