- 著者
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平岡 淳一郎
荻原 忠
桜井 聡
末光 淳輔
赤池 敏宏
- 出版者
- 公益社団法人 高分子学会
- 雑誌
- 高分子論文集 (ISSN:03862186)
- 巻号頁・発行日
- vol.42, no.10, pp.693-697, 1985
- 被引用文献数
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高分子材料とimmunogtoblin G (IgG) の吸着相互作用について, 既報のマイクロスフィアカラム法を用いて解析を行った. 高分子材料としてはポリメタクリラート誘導体を用いて, その構造上のパラメーター (親-疎水性, 実効荷電など) がIgGの吸着挙動に及ぼす影響について検討した結果, IgG分子はポリメタクリラート誘導体に対しては, 疎水的相互作用や複数の相互作用の協同効果による吸着が主体であり, 実効荷電を持つ材料においても静電結合とみられる吸着の割合は少なかった. また, IgGをF (ab′) <SUB>2</SUB>・Fcのフラグメントに分け, 各フラグメントの吸着挙動を解析した結果, 表面荷電がneutralである材料に対して正荷電を導入することでFabサイトの, 負荷電を導入することでFcサイトの吸着親和性がそれぞれ増加する傾向を示した.