著者
新井将之
出版者
日経BP社
雑誌
日経エレクトロニクス (ISSN:03851680)
巻号頁・発行日
no.800, pp.195-199, 2001-07-16
被引用文献数
2

NECが米Silicon Graphics,Inc.(SGI)へ18MビットのRambus仕様DRAMのサンプル出荷を始めた矢先,工場に出張していた部下から石川透氏に急報が届いた。作っても半分以上は検査で不良になるというのだ。回路上の問題というのが工場側の見解だった。 「そんなことあるわけないじゃない。工場の評価ミスじゃないの?」 石川氏は全く取り合わなかった。

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こんな論文どうですか? Tech Tale 高速メモリ「Rambus仕様DRAM」の開発(最終回)爆発もフリーズも乗り越えて(新井将之),2001 http://t.co/HKmkk1lhRC

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