著者

諸橋 信一 伊村 領太郎 佐野 尚樹 鈴田 雅敏

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SCE, 超伝導エレクトロニクス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.101, no.183, pp.23-28, 2001-07-07

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X線などの電磁波の照射で生成される準粒子のトンネリング効率の向上が, 超伝導トンネル接合を量子型検出器として動作させるためには重要である。到達真空度4 x 10^<-9> Paの超高真空電子ビーム蒸着により, 基板加熱温度500〜700℃でサファイア基板上にエピタキシャルNbおよびTa薄膜作製を行なった。Nb薄膜では超伝導転移温度(Tc)〜9.3K, 残留抵抗比(RRR)〜50, Ta薄膜ではTc〜4.5K, RRRが45〜140が得られた。