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文献詳細
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OA
先端LSI極微細MOSFETにおける回路シミュレーション用リーク電流モデルに関する研究
著者
稲垣 亮介
出版者
[出版者不明]
巻号頁・発行日
2009-02
制度:新 ; 報告番号:甲2862号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2009/2/23 ; 早大学位記番号:新5082
言及状況
変動(ピーク前後)
変動(月別)
分布
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先端 LSI 極微細 MOSFET における 回 路 シミュレーション用 リーク電 流 モデルに関 する研 究 https://t.co/WnQqLNxLp8
収集済み URL リスト
https://dspace.wul.waseda.ac.jp/dspace/bitstream/2065/34741/4/Honbun-5082_01.pdf
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