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これまで、はんだ付けに関係する因子をパラメーターとし最適な条件を探す条件出しがメイン。根本解決になっていない。不良を防止するスペックや基準を理論的系統的に提示できてない。各部品のはんだ付け性の合否判定できない。実際にはんだ付けしてみなければわからない。 https://t.co/JioT9xnfsQ

1 0 0 0 OA 高密度実装技術1005からピッチ0.3mmQFPまで

酸化が進んだはんだ粒子は、溶融せず軟化したフラックスに浮遊流出し、はんだボールになる。 https://t.co/Pv0Fl4WvYq

1 0 0 0 OA フラックス, ソルダペーストおよびフラックス残渣の洗浄方法

アビエチン酸C19H29COOHは融点175℃。フラックスは200℃以上で活性。フラックス中のハロゲンは、硝酸銀適定法。IPC-SP-819が粒径規格。ペーストの最大径はマスク幅の1/3〜1/7。 https://t.co/gdnUczF2fF

2 0 0 0 OA N2雰囲気はんだ付けとN2雰囲気リフロー炉の開発動向

銅は150〜180度で酸化速度が増加。酸素濃度は1000ppmが目安。 https://t.co/mbijMZdIUY

1 0 0 0 OA はんだ付け技術概論

Sn-Pb系はんだへのAg添加:融点低下、強度増加、濡れ性と光沢の改善。はんだ付け:金属にのみ接続、低温接合、導体、短時間固着、一括接合、外観で良否判定可能、低温接合で部品交換可能。 https://t.co/SrGeL6JiD1

1 0 0 0 OA SMTにおけるファインピッチQFP実装プロセス

0.3mmピッチqfpについて。はんだ印刷等の供給より端子の平坦度を確保するのが困難。部品搭載前にマウンターでリードカットすることを提案。外形21mm角で212ピン。 https://t.co/Dptr3Kry2P

1 0 0 0 OA SMTにおける無洗浄はんだペーストとリフローシステム

1989年7月からフロン規制（オゾン層を破壊する物質に関するモントリオール議定書）。当時の無洗浄ペーストでは、リフロー酸素濃度1000ppm以下で濡れ改善。無洗浄フラックスは、フロー1%以下で上がり改善。 https://t.co/Z0yChi6RFj

1 0 0 0 OA SMTにおけるコネクタ技術

論文当時の材料は、PPS（ポリフェニリンサルファイド）、LCP（液晶ポリマー）、ポリアミド、ポリエステル樹脂ベースなど。 https://t.co/HhPqukMnKb

1 0 0 0 OA はんだリフロー工程で発生するICのパッケージクラックに関する研究 : 第2報,応力特異場理論による樹脂の強度評価

パッケージのリフロークラック耐性は、樹脂の３点曲げによる破壊靭性値から推測可能。 https://t.co/OlmQVgb4mQ

1 0 0 0 OA はんだ付技術の要点

ロジンは、Sn-Pb共晶はんだの酸化物と 2RCOOH+SnO=(RCOO)2Sn+H20(1) 2RCOOH+PbO=(RCOO)ZPb+H20(2) のように反応。(2)の生成割合が多く、はんだ表面のSnOはロジンだけでは除去されにくい。 https://t.co/xnT7cXxD86

1 0 0 0 OA 感覚運動系技能の習熟過程に関する研究

技能習得過程を調査。生体機能：眼球運動、心電図、筋電図、呼吸曲線。動作記録：作業者正面、真上、視野の映像。 https://t.co/Nbu06vzUh2

1 0 0 0 OA プリント配線板の材料と加工における環境保全の現状

P板のイオン残渣量測定。オメガメータ。抽出液でPたの残留イオンを抽出し、電気抵抗を測定。NaClイオンの等量値に変換。単位面積あたりの清浄度（μg・NaCl/in^2）。イオン残渣量は,MIL規格(MIL-P-28809A)のイオン残渣量基準値14μg・NaCl/ in2。 https://t.co/7esH22KR4J

1 0 0 0 OA 電子部品実装における環境保全の現状

フラックス上がり防止剤。フラックス残渣=コンタクトピン接触不良、ベタつきによる搬送トラブル、コーティングの密着不良、美観、はんだボール、パターン腐食、表面絶縁抵抗の劣化、高周波特性の劣化、マイグレーション。排水処理が重要。 https://t.co/cPZf53K3tH

1 0 0 0 OA フロン代替化洗浄技術の現状

フロン洗浄剤は、化学、熱的に安定。低沸点、速乾性、不燃性、低毒性。ただし、オゾン層破壊。洗浄用純水にエタノール追加で、洗浄性、乾燥性が向上する。フロン代替の一つ炭化水素系。 https://t.co/1CgOjpjFSC

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