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1 0 0 0 OA Heavily-Doped Poly-Si Gate and Epi-First Source/Drain Extension Technique in Strained Si Nanowire MOSFETs with Reduced Papasitic Resistance

Heavily-Doped Poly-Si Gate and Epi-First Source/Drain Extension Technique in Strained Si Nanowire MOSFETs with Reduced Papasitic Resistance/2010 International Conference on Solid State Devices and Materials - Confit https://t.co/Bvhn2O2TOJ

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