- 著者
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江尻 芳則
櫻井 健久
荒山 貴慎
鈴木 邦司
坪松 良明
畠山 修二
有家 茂晴
廣山 幸久
長谷川 清
- 出版者
- 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
- 雑誌
- エレクトロニクス実装学会誌 = Journal of Japan Institute of Electronics Packaging (ISSN:13439677)
- 巻号頁・発行日
- vol.15, no.1, pp.82-95, 2012-01-01
- 参考文献数
- 37
- 被引用文献数
-
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われわれはAuワイヤボンディング可能な無電解Ni/Pd/Auめっきを半導体実装用基板に採用し,従来の電解Ni/Auめっきと同等のはんだボール接続部の耐衝撃性を確保してきた。本報告では,この技術を20 μmより狭い配線間隙をもつ次世代基板に適用するため,高速度はんだボールシア試験法を用いて耐衝撃性を確保できる無電解Niめっき皮膜の下限値を検討した。Sn–3Ag–0.5Cuのはんだボールを用い,ピーク温度252℃の窒素リフロー7回,または空気中150℃,1,000 hの熱処理での無電解Niめっき皮膜の下限値は1 μmであった。また,携帯機器の落下試験で生じる不良と同様の界面破壊の原因は,端子とはんだの界面近傍のボイドの形成と,金属間化合物の結晶粒の微細化であることを見いだした。