著者

Malhan Rajesh Kumar

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C (ISSN:13452827)

巻号頁・発行日

vol.86, no.4, pp.376-385, 2003-04-01

参考文献数

38

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新しいインバータシステムと内燃機関とで構成されたハイブリッド電気自動車(HEV)の市場が拡大しており,パワーデバイスのビジネスチャンスが広がっている.SiCは優れた電気的及び物理的性質をもち,ハードエレクトロニクスにとって非常に魅力的な材料である.本論文では超低損失SiCパワーデバイスの現状とHEV用のパワーモジュールへの応用展開を概観する.SiCの特徴を最大限に引き出すデバイス構造コンセプトを考察した.SiCのユニポーラ,バイポーラのダイオードとトランジスタの性能をSiパワーデバイスと比較し,SiCの優位性を議論した.SiC半導体デバイスは自動車用インバータを開発するためのキーデバイスである.