著者

前田 佳均

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス (ISSN:13452827)

巻号頁・発行日

vol.83, no.12, pp.1053-1059, 2000-12-25

参考文献数

14

被引用文献数

2

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イオンビーム合成法によって作製した多結晶β-FeSi_2膜の光学特性を格子ひずみの関係で調べた.X線回折法によって決定した格子定数はバルクとは異なり, 著しいα軸の伸展, bとc軸の圧縮及び格子体積の膨張が観察された.アニール温度や時間の違いによって, 格子体積は収縮から膨張に変化し, 光学吸収端は, 収縮したβ-FeSi_2格子では間接遷移を, そして膨張した格子では直接遷移を示した.これらの実験結果を踏まえて, 格子変形したβ-FeSi_2のエネルギーバンドの第1原理計算を行い, 計算結果によって, 格子ひずみによるバンドギャップへの影響を考察した.