- 著者
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松本 聡
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス (ISSN:13452827)
- 巻号頁・発行日
- vol.84, no.7, pp.552-562, 2001-07-01
- 被引用文献数
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シリコンパワーMOSFETは90年代後半, 微細加工技術, 低抵抗ゲート電極材料, SOI構造等のLSI技術を導入して飛躍的に性能が向上し, 2GHz帯では化合物半導体デバイスと同等の性能を示すようになった。更に21世紀に入り5GHz帯での適用の見通しが得られた。本論文では, シリコンマイクロ波パワーMOSFETの研究開発の歴史, 構造的な特徴, 高周波特性改善のための研究開発動向について述べる。