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金融着法により作製したマイクロストリップInGaAsP/InP MQWレーザ
著者
堀田 昌克
Tauber D.a.
Holmes Jr.A.L.
Miller B.I.
Bowers J.E.
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス
巻号頁・発行日
vol.96, no.192, pp.19-24, 1996-07-25
高出力、 広帯域な半導体レーザの実現を目指して、熱放散特性、高周波信号伝搬特性に優れたマイクロストリップレーザ(Microstrip laser: MSレーザ)という新たなレーザ構造を検討した。MS-レーザは下部クラッド層の直下に厚い金電極を有していることを特徴としている。本構造の作製工程を考案し、 試作した素子の諸特性を評価した。 ボンデイング工程及びその後のレーザプロセスが素子特性に悪影響を及ぼしていないことを、その閾値電流特性から確認した。また、CW発振特性、高周波信号伝搬実験から、本構造が従来の構造に比べて熱放散および高周波伝搬特性に関して優れていることを明らかにした。
言及状況
変動(ピーク前後)
変動(月別)
分布
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こんな論文どうですか? 金融着法により作製したマイクロストリップInGaAsP/InP MQWレーザ(堀田 昌克ほか),1996 http://t.co/aED3B1q2yh
収集済み URL リスト
https://ci.nii.ac.jp/naid/110003200139
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