- 著者
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白石 靖
嶋脇 秀徳
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)
- 巻号頁・発行日
- vol.99, no.21, pp.45-51, 1999-04-22
p-GaAsへの新しいオーミックであるPdInについて検討し、pc〜1×10^-8Ωcm^2という良好なコンタクト抵抗を、低いアニール温度(≦400C)で実現した。この値はp-GaAsに対する合金系オーミック電極の既報告の中で最も低く、従来のPt系オーミック電極の値Pc≧5x1O^-7Ωcm^2)と比べて一桁以上低い。Pd/In/Pd積層構造で問題となる表面の凹凸は、Pd-In共蒸着により改善され、良好な表面モフォロジーが得られた。また、PdIn/GaAs界面は平滑で、合金層のシンターも浅く、熱的安定性も良好であることから、PdInオーミックはGaAs系高周波HBTのべース電極として非常に有望であると言える。