- 著者
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安田 智
札谷 正美
中野 真治
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会技術研究報告. R, 信頼性 (ISSN:09135685)
- 巻号頁・発行日
- vol.99, no.454, pp.19-24, 1999-11-19
バイポーラTrのエミッタ・ベース逆バイアスストレスでのhFE劣化におけるコレクタ状態の影響について検討し、以下のことが明らかになった。 1.ベース拡散層が浅い又は、ベース拡散層の濃度が薄い場合、コレクタ接地状態において、エミッタ・コレクタ間のパンチスルー電流により、コレクタオープン状態よりも初期耐圧が低下する。 2.コレクタ接地状態では、エミッタ・コレクタ間のパンチスルー電流が起因し、コレクタオープン状態よりもhFE劣化が大きくなることがある。 3.コレクタ接地状態でのエミッタ・コレクタ間のパンチスルー電流がhFE劣化に与える影響は、エミッタ・ベース拡散層の深さに依存し、浅くなるほど影響が大きい。