- 著者
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宮崎 泰典
岡田 規男
菅井 貴義
多田 仁史
宮原 利治
高木 和久
青柳 利隆
八田 竜夫
大村 悦司
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス (ISSN:09135685)
- 巻号頁・発行日
- vol.103, no.35, pp.29-34, 2003-04-18
- 参考文献数
- 10
光送信機用変調光源には,広変調帯域幅,高出力光強度,高消光比,良好な出力光波形,低伝送ペナルティの両立を要求される.電界吸収型光変調器(EAM)は超高速光送信機の小型化に有用な半導体デバイスであるが,従来は40Gbpsにおいてこれらを両立した報告はなかった.今回,EAMに,(1)キャパシタンス低減に有利な半絶縁性基板,(2)高光出力時低チャープ動作が可能な伸張歪非対称量子井戸吸収層,を用いて40Gbpsにおける低チャープ・高光出力動作を初めて実現した.更に(3)EA変調器モジュールにドライバICを内蔵し,同軸ケーブルやコネクタによる高周波特性悪化を抑えた.その結果,EA変調器モジュールとしてITU-TG693規格(出力光強度,アイマスク規定,消光比,伝送ペナルティ)を満たすことを確認した.