著者

安井 信一 大見 忠弘 二ツ木 高志 米川 直道

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻号頁・発行日

vol.93, no.7, pp.1-8, 1993-04-22

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次世代の半導体デバイスの高性能化実現のためには、ウエハ表面を極限までウルトラクリーンにすることが必要不可欠である。特に、ウエハに与えるダメージが少なく、低温で処理が可能であることから、現在でもウェットプロセスが広く採用されている。RCA洗浄において、有機物分子除去に用いられている硫酸過酸化水素洗浄(SPM)は、薬品を使用することや処理が高温であることから、廃液処理、操作性に問題がある。一方、オゾン添加超純水洗浄は、常温処理であり、さらに低濃度オゾンを使用していることから、廃液処理が必要とならない。オゾン超純水を使った有機物除去は、洗浄プロセスの低温化だけでなく、操作性の向上、廃液処理のクローズドシステムの実現も可能にする。