著者

大見 忠弘 柴田 直

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会誌 (ISSN:09135693)

巻号頁・発行日

vol.80, no.3, pp.244-256, 1997-03-25

被引用文献数

5

---

単体トランジスタを極限まで小さくし, LSIの集積度をどんどん上げていくこと, これが現在のコンピュータハードウェア開発の基本である. しかしこれだけで, 果たして人間のように"しなやかに"ものごとを判断したり, 場合場合に応じて柔軟に適切な行動をとる, こんな情報処理システムができあがるのだろうか. 我々の答えは"NO"である. あらゆる電子システムの基本であるトランジスタそのものの機能を増大し, 基本素子のレベルから"しなやかさ"を導入することが必須であると主張する. 20世紀のエレクトロニクスは, 出力電流を単一の信号入力端子が制御するデバイス, つまりバイポーラトランジスタやMOSトランジスタ等の三端子デバイスによって作り上げられた. 21世紀の"人間としなやかに調和するエレクトロニクス"は, もっと自由度の高いデバイスを基本素子として要求している. つまり, 複数の信号入力端子が協調してその出力電流を決める新しい四端子デバイスである. 本稿では, ニューロンMOSトランジスタ(νMOS)を四端子デバイスの一例としてとらえ, しなやかな情報処理ハードウェアへの可能性を検証する.

著者

大見 忠弘

出版者

東京工業大学

巻号頁・発行日

1966

---

博士論文

著者

西澤 潤一 大見 忠弘 玉蟲 尚茂

出版者

一般社団法人映像情報メディア学会

雑誌

テレビジョン学会技術報告 (ISSN:03864227)

巻号頁・発行日

vol.5, no.12, pp.53-58, 1981-08

被引用文献数

1

著者

森本 明大 杉村 正彦 河田 敦 川崎 雅史 脇坂 康尋 大見 忠弘

出版者

社団法人エレクトロニクス実装学会

雑誌

エレクトロニクス実装学会誌 (ISSN:13439677)

巻号頁・発行日

vol.9, no.4, pp.262-268, 2006-07-01

参考文献数

10

被引用文献数

3

---

配線の高精度化,信号の高速化に伴い,各種パッケージやプリント配線板の設計精度の向上,製造精度の向上,材料の特性改善およびこれらの協調が求められている。特に高周波領域における損失を削減するためには,表面粗化を行わずに銅めっき膜を密着させることが必要である。これらに対し筆者らは,表皮効果を考慮したRLGCモデルを用いることによる設計精度の向上と,表面粗化を行わずに良好な銅めっき膜の密着(9.2N/cm)を確保することのできるビルドアップ用低誘電率(ε_r=2.75)・低損失(tanδ=0.0099)樹脂の開発を行い,これらの検証を行った。37μm厚の樹脂フィルムを用いて50Ωのマイクロストリップライン(配線幅88μm,配線厚15μm)を作成し伝播特性の計測を行った結果,10GHzにおいて従来(ε_r=3.4,tanδ=0.022,配線幅77μm,配線厚15μm)の約1/2である0.37dB/cmの伝送損失を達成した。さらに,表皮効果を考慮したRLGCモデルがよく一致することが確認され,これを用いて損失の内訳を算出した結果,誘電体内での損失と配線金属での損失の両者を効果的に低減することができることが実証された。

著者

小村 政則 樋口 正嗣 程 イ涛 大嶋 一郎 寺本 章伸 平山 昌樹 須川 成人 大見 忠弘

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.103, no.373, pp.39-41, 2003-10-13

---

マイクロ波励起高密度プラズマで形成した100nm世代以下向けの直接シリコン窒化ゲート絶縁談の電気的特性を示す。プラズマ中の電子温度を低く抑え、プラズマダメージを極小にすることにより、TDDB特性がドライ酸化膜と比較して30000倍向上した。また400Kの温皮下において、C-V特性においてヒステリシスは観測されない。

著者

千葉 景子 坪井 秀行 古山 通久 久保 百司 二井 啓一 寺本 章伸 大見 忠弘 宮本 明

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻号頁・発行日

vol.104, no.337, pp.21-22, 2004-10-08

---

Si基板を安定に保つためには表面の水素終端が最も有効であり、様々な薬液を用いた表面処理が行われているが、半導体表面上での化学反応は未だ不明な点が多い。そこで本研究では、シリコン表面の終端水素がラジカルなどによって説離する過程を量子化学的に検討した。その結果、表面近傍におけるラジカル種の存在によって容易に終端水素が説離することが明らかになった。

著者

安井 信一 大見 忠弘 二ツ木 高志 米川 直道

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻号頁・発行日

vol.93, no.7, pp.1-8, 1993-04-22

---

次世代の半導体デバイスの高性能化実現のためには、ウエハ表面を極限までウルトラクリーンにすることが必要不可欠である。特に、ウエハに与えるダメージが少なく、低温で処理が可能であることから、現在でもウェットプロセスが広く採用されている。RCA洗浄において、有機物分子除去に用いられている硫酸過酸化水素洗浄(SPM)は、薬品を使用することや処理が高温であることから、廃液処理、操作性に問題がある。一方、オゾン添加超純水洗浄は、常温処理であり、さらに低濃度オゾンを使用していることから、廃液処理が必要とならない。オゾン超純水を使った有機物除去は、洗浄プロセスの低温化だけでなく、操作性の向上、廃液処理のクローズドシステムの実現も可能にする。