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選択成長によるGaNの結晶学的評価
著者
大西 勝
元垣内 敦司
三宅 秀人
平松 和政
曽根 弘樹
川口 靖利
澤木 宣彦
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
(
ISSN:09135685
)
巻号頁・発行日
vol.99, no.68, pp.7-12, 1999-05-21
HVPE法によりGaNの選択成長を行い、その結晶学的評価を行った。格子パターンによるGaN選択成長では、マクロステップを有する表面モフォロジーがAFMで観察され、膜厚の増大とともに格子歪みが緩和した。ストライプパターンを用いたELO-GaNをマスクの材料により比較すると、SiO_2をマスクに用いたELO-GaNでは成長面でのc軸傾斜が大きいのに対し、W(タングステン)をマスクに用いた場合にはc軸傾斜が小さく、良質な結晶であることが示された。
言及状況
変動(ピーク前後)
変動(月別)
分布
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こんな論文どうですか? 選択成長によるGaNの結晶学的評価(大西 勝ほか),1999 http://id.CiNii.jp/N3LDL HVPE法によりGaN…
こんな論文どうですか? 選択成長によるGaNの結晶学的評価,1999 http://ci.nii.ac.jp/naid/110003310369 HVPE法によりGaNの選択成長を
収集済み URL リスト
https://ci.nii.ac.jp/naid/110003310369
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