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低消費電力化技術とゲート絶縁膜の薄膜化
著者
岩井 洋
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
(
ISSN:09135685
)
巻号頁・発行日
vol.102, no.271, pp.37-42, 2002-08-15
LSIの消費電力は増加の一途を辿ってきた。チップの消費電力もそろそろ本当の限界に到達しつつあるというのが大方の見方となっており、CMOSLSIの低電力化技術が真剣に検討されている。本論文では最近の低消費電力技術とその問題点を紹介するとともに、低消費電力技術にとって重要なゲート絶縁膜薄膜化技術の最近の動向を紹介する。
言及状況
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変動(月別)
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こんな論文どうですか? 低消費電力化技術とゲート絶縁膜の薄膜化,2002 http://ci.nii.ac.jp/naid/110003494034 LSIの消
こんな論文どうですか? 低消費電力化技術とゲート絶縁膜の薄膜化,2002 http://ci.nii.ac.jp/naid/110003494034 LSIの消
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こんな論文どうですか? 低消費電力化技術とゲート絶縁膜の薄膜化,2002 http://ci.nii.ac.jp/naid/110003494034 LSIの消費電力は増加の一途を辿ってきた。チップの消費電力もそろそろ本当の限界に到達しつつあるというのが大方の見方となっており、C
収集済み URL リスト
https://ci.nii.ac.jp/naid/110003494034
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