著者

奈良 安雄

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.106, no.138, pp.89-92, 2006-06-26

---

CMOSデバイスの更なる性能向上に対しては、従来のような微細化技術のみでは既に限界に来ており、歪シリコン技術、メタルゲート技術、High-kゲート絶縁膜技術、薄膜ボディSOI、マルチゲート構造などの新しい技術の導入と共にスケーリングを行っておく必要がある。これらの中でもゲート電極とゲート絶縁膜技術(ゲートスタック技術)は今後の微細化CMOSにおける共通の課題であると思われる。本講演では、今後のゲートスタック技術としてHigh-kゲート絶縁膜とメタルゲート電極を取り上げ、最近の開発成果について述べる。