著者

奈良 安雄

出版者

九州大学

巻号頁・発行日

1977

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博士論文

著者

片野 静次 沖 智之 松尾 由佳 義平 邦利 奈良 安雄 三木 知博 松井 利郎 松本 清

出版者

公益社団法人 日本水産学会

雑誌

日本水産学会誌 (ISSN:00215392)

巻号頁・発行日

vol.69, no.6, pp.975-980, 2003-11-15 (Released:2008-02-01)

参考文献数

21

被引用文献数

11 25

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アコヤガイ貝肉タンパク質をアルカリプロテアーゼ分解し,その分解放による血圧降下作用を高血圧自然発症ラット(SHR/Izm)を用いて,投与後6時間の収縮期血圧により調べた。分解放の低分子溶出画分側からACE阻害活性の高い画分を得たので,これを逆相クロマトグラフィーに供し,ACE阻害活性の高い生理活性ペプチドを,ACE阻害ペプチド(Ala-Trp)を含めて4種類分離・同定した。さらにこれらのペプチドのACE阻害への寄与率は4.5%であった。アコヤガイ貝肉の機能性食素材としての可能性を検討したので報告をする。

著者

鬼沢 岳 加藤 慎一 青山 敬幸 奈良 安雄 大路 譲

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.108, no.139, pp.103-107, 2008-07-10

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自由にパルス形状を変えることの出来るフラッシュランプアニール技術(FSP-FLA:Flexibly-Shaped-Pulse Flash-Lamp-Anneal)を用いて、極浅接合形成およびメタル/高誘電率絶縁膜トランジスタの特性改善を行った。従来のFLA処理は、メタル/高誘電率絶縁膜トランジスタの移動度劣化・BTI (Bias Temperature Instability)寿命の劣化を引き起こす。FLA処理後の回復アニールによりそれらの劣化は改善できるが、不純物の拡散・不活性化を伴うため浅接合形成が困難となる。FSP-FLAを用い、高出力フラッシュ後に低出力・10ミリ秒のフラッシュを追加することで、不純物の拡散・不活性化を伴うことなく、高移動度・高BTI寿命を得ることに成功したので報告する。

著者

奈良 安雄

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.106, no.138, pp.89-92, 2006-06-26

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CMOSデバイスの更なる性能向上に対しては、従来のような微細化技術のみでは既に限界に来ており、歪シリコン技術、メタルゲート技術、High-kゲート絶縁膜技術、薄膜ボディSOI、マルチゲート構造などの新しい技術の導入と共にスケーリングを行っておく必要がある。これらの中でもゲート電極とゲート絶縁膜技術(ゲートスタック技術)は今後の微細化CMOSにおける共通の課題であると思われる。本講演では、今後のゲートスタック技術としてHigh-kゲート絶縁膜とメタルゲート電極を取り上げ、最近の開発成果について述べる。