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GaN HEMTを用いたX帯アクティブフェーズドアレーアンテナ用アンプユニット
著者
鈴木 亮太
中田 大平
熊本 剛
佐竹 芳彰
菅藤 和博
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波
(
ISSN:09135685
)
巻号頁・発行日
vol.108, no.350, pp.65-69, 2008-12-05
被引用文献数
5
送信最終段にGaN HEMTを用いた高出力送信回路,および低雑音受信回路を各16系統内蔵し,それぞれの回路にMMICを用いた位相制御機能を付加した,X帯アクティブフェーズドアレーアンテナ用アンプユニットを開発した.パルス動作において1系統あたりの送信出力がユニット出力端で30W(全系統の合計送信出力480W)となる送信性能を確認し,さらに移相性能と受信性能についても良好な結果を得た.これにより,アクティブフェーズドアレーアンテナの高出力化が可能となる.
言及状況
変動(ピーク前後)
変動(月別)
分布
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@VVspyVV 東芝製X帯AESA(試作?)に関する資料がCINIIとIEEEにありました。 http://t.co/gQlFaIPeiU http://t.co/17dHB2spqI http://t.co/KayEUX6OoH http://t.co/rPNJuX8euq
東芝のアクティブフェーズドアレーアンテナ用X帯GaN送受信ユニットにかんする、CINIIとIEEEに有る資料。 http://t.co/gQlFaIPeiU http://t.co/17dHB2spqI http://t.co/KayEUX6OoH
収集済み URL リスト
https://ci.nii.ac.jp/naid/110007114825
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