著者

山口 敦子 龍崎 大介 武田 健一 川田 洋揮

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.109, no.412, pp.59-63, 2010-01-29

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Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス(LER)評価方法を確立するため,レジスト,low-k,Cu/low-kパターンをCD-SEMで観察し,典型的なラフネス形状を抽出するとともに,LER起因の電界集中をシミュレーションにより見積もった.low-k及びCu/low-kパターンにはくさび形のLERが観測されたが,このようなLERはくさびの先端部で,時間依存性絶縁破壊(TDDB)特性劣化につながる電界集中を引き起こすことがシミュレーションにより示された.また電界集中の予測には,low-kパターンのエッチング後及びCuのCMP後に,LERの大きさ(3sigma)とくさび形の開き角を評価することが効果的であると分かった.