著者

山口 敦子 龍崎 大介 武田 健一 川田 洋揮

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.109, no.412, pp.59-63, 2010-01-29

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Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス(LER)評価方法を確立するため,レジスト,low-k,Cu/low-kパターンをCD-SEMで観察し,典型的なラフネス形状を抽出するとともに,LER起因の電界集中をシミュレーションにより見積もった.low-k及びCu/low-kパターンにはくさび形のLERが観測されたが,このようなLERはくさびの先端部で,時間依存性絶縁破壊(TDDB)特性劣化につながる電界集中を引き起こすことがシミュレーションにより示された.また電界集中の予測には,low-kパターンのエッチング後及びCuのCMP後に,LERの大きさ(3sigma)とくさび形の開き角を評価することが効果的であると分かった.

著者

大高 正 川田 洋揮 宍戸 千絵 大崎 真由香

出版者

公益社団法人 日本表面科学会

雑誌

表面科学 (ISSN:03885321)

巻号頁・発行日

vol.27, no.11, pp.636-641, 2006-11-10 (Released:2007-04-04)

参考文献数

12

被引用文献数

1

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The design rule of semiconductor devices in 1984s, when optical microscope was used for critical dimension measurement of device patterns, was around 1.3 µm. Instead of the optical microscope which did not provide enough resolution for the further device shrinkage, CD-SEM (Critical-Dimension Scanning Electron Microscope) was used for 1 µm or smaller design rule. This report introduces recent CD-SEM technologies and future prospect for such smaller design rule. Furthermore, evaluation of CD-measurement accuracy is introduced. It consists of short-term and long-term repeatabilities and tool-to-tool matching. A new linewidth-measurement algorithm is implemented for better short-term repeatability. A method of contrast-gradient is used for tool-to-tool matching. A traceable standard-sample for magnification calibration is also used.