著者

松村 純宏

出版者

一般社団法人 表面分析研究会

雑誌

Journal of Surface Analysis (ISSN:13411756)

巻号頁・発行日

vol.22, no.2, pp.110-117, 2015

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AESにおいてスパッタ深さ方向分析を行う場合,試料表面に対するイオンの入射角度はその目的に応じて選択される.スパッタイオンを試料表面に対して低角度で入射すると深さ分解能を向上させることできる.イオンの低角度での入射を実現するためには傾斜試料ホルダーとサンプルステージの回転を用いる必要がある.ステージの傾斜角と回転角の誤差がイオン入射角に与える影響について検討し,いくつかのAES装置のイオン銃の配置の場合について計算した結果を報告する.