- 著者
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北中 佑樹
野口 祐二
宮山 勝
- 出版者
- 公益社団法人 日本セラミックス協会
- 雑誌
- 日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
- 巻号頁・発行日
- vol.2011, pp.14, 2011
チタン酸ビスマス(BiT)を始めとするBi系強誘電体において、基礎物性の解明や圧電・光学デバイスへの応用には、分極反転が容易な高品質単結晶の育成が求められる。本研究では、高酸素分圧下(0.9 MPa)での溶液引き上げ法(TSSG法)によって、欠陥濃度の小さい高品質BiT単結晶を育成した。得られたBiT単結晶の電界誘起歪みを測定したところ、明瞭なバタフライループが得られた。BiTの分極方向において、歪み曲線から見積もられた圧電定数は37 pm/Vであった。高圧酸素下TSSG法によって、圧電特性評価が可能なサイズを持つ高品質結晶が得られ、初めて共振・反共振法によるBiT単結晶の圧電特性評価に成功し、決定された電気機械結合定数k11は37 %であった。