著者
Jones Mark-Eric
出版者
日経BP社
雑誌
日経エレクトロニクス (ISSN:03851680)
巻号頁・発行日
no.783, pp.171-178, 2000-11-20

米MoSys,Inc.は,DRAMと同じメモリ・セル構造を採りながらSRAM並みのアクセス性能を実現したメモリ「1T—SRAM」を開発した。ネットワーク機器や民生機器などに搭載するシステムLSIへの埋め込みを想定する。0.18nmルールのプロセス技術で作るLSIに埋め込んだ際のランダム・アクセス時間は5ns未満と短い。

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こんな論文どうですか? 講座/メモリ SRAM並みの高速性を実現したDRAM技術--任天堂の次世代ゲーム機向けシステムLSIに搭載(Jones Mark-Eric),2000 https://t.co/e7b76rW6df

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