- 著者
-
Jones Mark-Eric
- 出版者
- 日経BP社
- 雑誌
- 日経エレクトロニクス (ISSN:03851680)
- 巻号頁・発行日
- no.783, pp.171-178, 2000-11-20
米MoSys,Inc.は,DRAMと同じメモリ・セル構造を採りながらSRAM並みのアクセス性能を実現したメモリ「1T—SRAM」を開発した。ネットワーク機器や民生機器などに搭載するシステムLSIへの埋め込みを想定する。0.18nmルールのプロセス技術で作るLSIに埋め込んだ際のランダム・アクセス時間は5ns未満と短い。