出版者

日経BP社

雑誌

Nikkei microdevices (ISSN:13494619)

巻号頁・発行日

no.249, pp.36-45, 2006-03

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薄膜Si,薄膜化合物半導体,球状Si。これら新材料を使う太陽電池による「ポスト多結晶Si」の本命争いが火ぶたを切った。いずれの方式も研究開発や少量生産の段階を終え,量産ラインを舞台に低コスト化を競い合うことになる。現時点では各方式に一長一短があり,ほぼ横一線の状況である。