Ceek.jp Altmetrics (α ver.)
文献ランキング
合計
1ヶ月間
1週間
1日間
文献カレンダー
新着文献
すべて
2 Users
5 Users
10 Users
新着投稿
Yahoo!知恵袋
レファレンス協同データベース
教えて!goo
はてなブックマーク
OKWave
Twitter
Wikipedia
検索
ウェブ検索
ニュース検索
ホーム
文献詳細
1
0
0
0
III-Vナノワイヤ/Siヘテロ接合界面の電子素子応用と光電変換素子応用(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)
著者
冨岡 克広
福井 孝志
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
(
ISSN:09135685
)
巻号頁・発行日
vol.114, no.88, pp.59-63, 2014-06-12
近年、ナノメートルスケールの直径を有した半導体ナノワイヤ・ナノロッドが次世代エレクトロニクス・フォトニクス材料として注目されている。有機金属気相選択成長法により集積したSi上のIII-V族化合物半導体ナノワイヤに形成される特異なヘテロ接合界面を利用した、低電圧トランジスタ応用と光電変換素子応用について紹介する。
言及状況
変動(ピーク前後)
変動(月別)
分布
Twitter
(1 users, 1 posts, 0 favorites)
収集済み URL リスト
https://ci.nii.ac.jp/naid/40020125112
(1)