著者

福井 孝志

出版者

公益社団法人 日本表面科学会

雑誌

表面科学 (ISSN:03885321)

巻号頁・発行日

vol.31, no.1, pp.13-18, 2010-01-10 (Released:2010-01-26)

参考文献数

25

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Recent advance in semiconductor hetero-structure formation technology using crystal growth enabled us to form quantum wires and quantum dots, as well as quantum wells. Here, we review the quantum wire formation technologies which confine an electron or a hole within one-dimension, and their physical properties and device applications. We also introduce recent progresses of semiconductor nanowire fabrication by using crystal growth and their device applications.

著者

福井 孝志 安藤 精後

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.61, no.2, pp.141-144, 1992-02-10 (Released:2009-02-05)

参考文献数

13

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有機金属気相成長法による選択成長を用いた新しい量子細線・量子ドット構造として,ファセット量子細線,ラテラル量子細線および四面体量子ドット構造を作製した.他の方法と比較した利点は,lOnm以下の半導体極微構造が,加工ひずみなしに得られることにある.

著者

冨岡 克広 福井 孝志

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.114, no.88, pp.59-63, 2014-06-12

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近年、ナノメートルスケールの直径を有した半導体ナノワイヤ・ナノロッドが次世代エレクトロニクス・フォトニクス材料として注目されている。有機金属気相選択成長法により集積したSi上のIII-V族化合物半導体ナノワイヤに形成される特異なヘテロ接合界面を利用した、低電圧トランジスタ応用と光電変換素子応用について紹介する。

著者

吉岡 真治 冨岡 克広 原 真二郎 福井 孝志

出版者

人工知能学会

雑誌

人工知能学会全国大会論文集 (ISSN:13479881)

巻号頁・発行日

vol.24, 2010

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ナノ結晶デバイスの開発プロセスにおいては、製造プロセスがデバイスの性質に大きな影響を与えるため、試行錯誤的な実験の繰り返しが必要とされる。しかし、その試行錯誤に関する知識はあまり明示化されていないため、熟練者の「匠の技」である暗黙知に依存している。本研究では、デバイス生成のための実験を行った記録を情報源として、この暗黙知の明示化を支援する実験記録データの活用システムを提案する。