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1 0 0 0 OA Gate Assisted Turn-off Thyristor (GATT)構造によるサイリスタの高周波化について

著者
多田 昭晴 中川 勉 上田 和男
出版者
The Institute of Electrical Engineers of Japan
雑誌
電気学会論文誌. C (ISSN:03854221)
巻号頁・発行日
vol.102, no.7, pp.155-162, 1982-07-20 (Released:2008-12-19)
参考文献数
19