著者

中村 圭二 菅井 秀郎

出版者

中部大学

雑誌

基盤研究(C)

巻号頁・発行日

2008

---

電子密度のモニタが可能で,プラズマへの擾乱を最小限に抑制可能な平板型周波数シフトプローブに着目し,プローブ周囲に形成されるシースによる影響を調べた。またシース効果を抑制して測定精度を向上させるとともに、電子温度の算出方法などについて検討した。スリット幅が異なる2種類のプローブについてシミュレーションと実験を行ったところ,シースを考慮せずに算出した電子密度は,真の電子密度に比べて低めに見積もられ,シース幅が厚くなるにつれてその傾向が顕著となった。しかしスリット幅を広くすると,シース効果が緩和されて測定精度が向上した。さらにスリット幅が異なる2つのプローブを用いることで電子温度の算出も可能となることがわかった。